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参数目录49892
> DMS3016SSS-13 MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8
型号:
DMS3016SSS-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMS3016SSS-13 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫欧 @ 9.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1849pF @ 15V
功率 - 最大
1.54W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
标准包装
其它名称
DMS3016SSS-13DIDKR
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